日照 高溫高濕高壓試驗箱 現(xiàn)貨廠家

高壓加速老化試驗箱內(nèi)外箱均采用304不銹鋼板，圓型內(nèi)箱，不銹鋼圓型試驗內(nèi)箱結(jié)構(gòu)，符合工業(yè)容器標準，可防止試驗中結(jié)露滴水設計。圓幅內(nèi)襯，不銹鋼圓幅型內(nèi)襯設計，可避免蒸氣潛熱直接沖擊試品。Jing密設計，氣密性良好，耗水量少，每次加水可連續(xù)200h。自動門禁，圓型門自動溫度與壓力檢知An全門禁鎖定控制，門把設計，箱內(nèi)有大于常壓時測試們會被反壓保護。
試驗箱執(zhí)行與滿足標準：
1.GB/T10586-1989濕熱試驗室技術(shù)條件；
2.GB2423.3-93(IEC68-2-3)恒定濕熱試驗；
3.MIL-STD810D方法502.2；
4.GJB150.9-8溫濕試驗；
5.GB2423.34-86、MIL-STD883C方法1004.2溫濕度、高壓組合循環(huán)試驗；

試驗箱使用條件：
溫度：5℃～+28℃（內(nèi)平均溫度≤28℃）
相對濕度：≤85%RH
氣壓：86kPa～106kPa
供電條件 三相四線+保護地線，電壓范圍：AC（380±38）V
頻率允許波動范圍：（50±0.5）Hz
保護地線接地電阻小于4Ω

試驗箱性能：
1.溫度范圍:100℃~135℃可設定.
2.濕度范圍:RH.(飽和蒸氣濕度) 
3.壓力范圍:0.0Kg/cm2~3.00Kg/cm2jue對壓力;(安全壓力容量3Kg/cm2/G=1個環(huán)大氣壓+2Kg/cm2)
4.時間范圍:0~1000H
5.溫度分布:(+/-)2.0℃%（100℃）
6.升溫時間:RT~121℃約35分鐘內(nèi)
7.加壓時間:0.0Kg/cm2~1.00Kg/cm2約35分鐘內(nèi)

技術(shù)性能指標：
1、溫度范圍：＋110℃～＋132℃。
2、溫度波動度：±0、5℃。
3、溫度均勻度：±1、5℃。
4、濕度范圍：R、H飽和蒸氣。
5、濕度波動度：±1、5%R、H。
6、濕度均勻度：±3、0%R、H。
7、壓力范圍：
相對壓力：+0～2kg/cm2。（注：可生產(chǎn)壓力范圍：+0～3kg/cm2）。
Jue對壓力：1、0kg/cm2～3、0kg/cm2。
安全壓力容量：4kg/cm2＝1個環(huán)境大氣壓＋3kg/cm2。
8、循環(huán)方式：水蒸氣自然對流循環(huán)。
9、測時間設置：0～999Hr。
10、加壓時間：0、00kg/cm2～2、00kg/cm2約30分鐘。
12、升溫時間：由常溫升至＋132℃約30分鐘非線性空載。
13、溫度變化速率為空氣溫度平均變化速率,而非產(chǎn)品溫度變化速率。
14、試驗內(nèi)箱體積供選擇：
注：
1、在無試驗負荷、無層架情況下穩(wěn)定30分鐘后測定的性能。
2、關于溫度上升及下降時間是指風冷式在周圍環(huán)境溫度為26℃±5℃,時所測量的性能。
3、溫濕度傳感器設置于空調(diào)箱出風口處。
4、溫濕度均勻度定義為：實驗室?guī)缀沃行狞c處，溫濕度時的所測之資料。
5、以上數(shù)據(jù)性能，測量，計算方法參照GB5170、2、GB5170、5的方法測定。
高壓加速老化試驗箱詳細說明：
    隨著半導體可靠性的提高，目前大多半導體器件能承受長期的THB試驗而產(chǎn)生失效，因此用來確定成品質(zhì)量的測試時間也相應增加了許多。為了提高試驗效率、減少試驗時間，采用了新的壓力蒸煮鍋試驗方法。壓力蒸煮鍋試驗方法主要分成兩種類型：即PCT和USPCT（HAST）現(xiàn)在壓力蒸煮鍋試驗作為濕熱加速試驗被IEC（國際電工會）所標準化。
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